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BAV70UE6327HTSA1

更新时间: 2024-02-09 19:56:38
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 154K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-74, 6 PIN

BAV70UE6327HTSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:6.19配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:4
端子数量:6最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAV70UE6327HTSA1 数据手册

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BAV70...  
Reverse current I = ƒ (T )  
Forward Voltage V = ƒ (T )  
F A  
R
A
V = Parameter  
I = Parameter  
R
F
10 5  
nA  
BAV 70  
EHB00068  
1.0  
V
VF  
ΙF  
= 100 mA  
10 4  
10 3  
10 2  
10 1  
10 mA  
1 mA  
0.5  
0.1 mA  
70 V  
25 V  
0
°C  
0
25  
50  
75  
100  
150  
0
50  
100  
150  
˚C  
T
A
TA  
Forward current I = ƒ (V )  
Forward current I = ƒ (T )  
F S  
F
F
T = 25°C  
BAV70  
A
BAV 70  
EHB00066  
250  
mA  
150  
Ι F  
mA  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
100  
50  
typ  
max  
50  
25  
0
0
0
°C  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
0.5  
1.0  
V
1.5  
T
S
VF  
2007-09-19  
4

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BAV70UE6327XT INFINEON Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-74, 6 PIN

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