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BAV70UE6327HTSA1

更新时间： 2024-02-26 16:36:23

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	154K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-74, 6 PIN

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BAV70UE6327HTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	6.19	配置：	2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAV70UE6327HTSA1 数据手册

BAV70...

Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

Unit

min.

typ. max.

DC Characteristics

Breakdown voltage

(BR)

= 100 µA

(BR)

Reverse current

V = 70 V

µA

0.15

V = 25 V, T = 150 °C

V = 70 V, T = 150 °C

Forward voltage

I = 1 mA

715

855

I = 10 mA

I = 50 mA

1000

1200

1250

I = 100 mA

I = 150 mA

AC Characteristics

1.5 pF

Diode capacitance

V = 0 V, f = 1 MHz

Reverse recovery time

I = 10 mA, I = 10 mA, measured at I = 1mA ,

R = 100 Ω

Test circuit for reverse recovery time

D.U.T.

Pulse generator: t = 100ns, D = 0.05, t = 0.6ns,

R = 50Ω

Oscillograph

Ι_F

Oscillograph: R = 50Ω, t = 0.35ns, C = 0.05pF

EHN00019

2007-09-19

1 234 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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