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BAV303

更新时间： 2024-11-05 08:48:59

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强茂 - PANJIT		二极管开关高压
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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BAV303 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAV303 数据手册

BAV301~BAV303

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

Unit : inch (mm)

MICRO-MELF

POWER

300 mWatts

VOLTAGE 120 to 250 Volts

FEATURES

• Fast switching Speed.

• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.

• Silicon Epitaxal Planar Construction.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: Micro Melf, Glass

.008(0.2)

.043(1.1)

.008(0.2)

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208

• Polarity: Cathode Band

.079(2.0)

.071(1.8)

• Marking: Cathode Band Only

• Weight: 0.01 grams

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ =25°C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_R

BAV301

100

BAV302

150

BAV303

UNITS

Reverse Voltage

200

250

Peak Reverse Voltage

V_{R R M}

120

200

Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with

Resistive Load and f >=50 Hz

I_O

Peak Forward Surge Current, t=1000ms

I_{F S M}

1.0

Power Dissipation Derate Above at 25^O

Maximum Forward Voltage, I_F= 100mA

P_D

300

V_F

1.0

Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking

Voltage T_J= 25^O

µA

I_R

0.1

Typical Junction Capacitance( Note 1)

Maximum Reverse Recovery (Note 2)

Typical Thermal Resistance

C_J

3.0

t_{r r}

R_{θ J A}

350

^OC / W

^OC

Operation Junction Storage Temperature Range

T_{S T G}

-65 to +175

NOTE:

1. CJ at VR=0, f=1MHZ

2. From IF=10mA to IR=-1mA, VR=6Volts, RL=100Ω

PAGE . 1

STAD-JAN.08.2009

12 3

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与BAV303相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV303-GS08	VISHAY	获取价格	DIODE 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2, Signal Di
BAV303-GS18	VISHAY	获取价格	DIODE 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2, Signal Di
BAV303P	MCC	获取价格	DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2, Signal Diode
BAV303-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
BAV303-TR	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV303TR3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, GLASS, MICROMELF-2
BAV303-TR3	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV30WS	SWST	获取价格	小信号开关二极管
BAV316	MCC	获取价格	Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
BAV316	CJ	获取价格	SOD-323

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