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BAV45112

更新时间: 2024-01-11 02:47:43
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
DIODE 0.05 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAV45112 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MBCY-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.73
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-MBCY-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
最大反向电流:0.00001 µA最大反向恢复时间:0.6 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

BAV45112 数据手册

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