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BAV20AMO

更新时间: 2024-09-16 19:58:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 103K
描述
DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

BAV20AMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.14
其他特性:HIGH SPEED SWITCH外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BAV20AMO 数据手册

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