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BAV20-F PDF预览

BAV20-F

更新时间： 2024-09-16 20:51:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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BAV20-F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.14
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

BAV20-F 数据手册

 浏览型号BAV20-F的Datasheet PDF文件第2页 
BAV20 / BAV21  
FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
Glass Package for High Reliability  
Planar Die Construction  
Low Reverse Leakage Current  
Also available in Surface Mount Package  
(BAV20W and BAV21W)  
A
B
A
C
D
DO-35  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
25.40  
—
Max  
—
·
·
Case: DO-35, Glass  
Leads: Solderable per MlL-STD-202,  
Method 208  
B
4.00  
0.60  
2.00  
C
—
·
·
Marking: Cathode Band and Type Number  
Weight: 0.13 grams (approx.)  
D
—
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic Symbol  
Maximum Ratings  
BAV20  
BAV21  
Unit  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
200  
150  
106  
250  
V
VRWM  
VR  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
200  
141  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
V
mA  
mA  
A
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
Forward Surge Current  
250  
200  
I0  
IFSM  
IFRM  
Pd  
@ t = 1.0s  
1.0  
Repetitive Peak Forward Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
625  
mA  
mW  
K/W  
°C  
500  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
-65 to +175  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Maximum Forward Voltage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
1.0  
Unit  
V
Test Condition  
IF = 100mA  
VFM  
—
—
VR = 150V  
100  
15  
100  
15  
nA  
mA  
nA  
mA  
Maximum Peak Reverse Current  
BAV20  
BAV20  
BAV21  
BAV21  
V
R = 150V, Tj = 100°C  
VR = 200V  
R = 200V, Tj = 100°C  
IR  
—
—
V
IF = 10mA  
rf  
Dynamic Forward Resistance  
Junction Capacitance  
—
—
5.0  
1.5  
—
—
W
VR = 0, f = 1.0MHz  
Cj  
pF  
IF = IR = 30mA to IR = 3.0mA;  
RL = 100 W  
trr  
Reverse Recovery Time  
—
—
50  
ns  
Notes:  
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8.0mm.  
DS22006 Rev. H-2  
1 of 2  
BAV20 / BAV21  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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 		0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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