Source Url Status Check Date: | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-236 |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 7.01 |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.9 V |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 1 A | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.16 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 85 V |
最大反向恢复时间: | 3 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAV199,215 | NXP |
类似代替 |
BAV199 - Low-leakage double diode TO-236 3-Pin | |
BAV199T/R | NXP |
类似代替 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAV199 | NXP |
类似代替 |
Low-leakage double diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV199/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAV199/T4 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAV199_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Low Leakage Diode | |
BAV199_08 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199_09 | WEITRON |
获取价格 |
Surface Mount Switching Diode | |
BAV199_1 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199_13 | MCC |
获取价格 |
Dual Series Switching Diode | |
BAV199_15 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199_15 | UTC |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |