BAT62-07F

更新时间： 2024-09-25 13:05:51

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英飞凌 - INFINEON		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	36K
描述
Mixer Diode, Low Barrier, Silicon, TSFP-4

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BAT62-07F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.68	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.6 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	10 µA	反向测试电压：	40 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

BAT62-07F 数据手册

BAT 62-07W

Silicon Schottky Diode

• Low barrier diode for detectors up to GHz

frequencies

VPS05605

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution

Type Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BAT 62-07W 62s

Q62702-A1198

1=C1 2=C2 3=A2 4=A1 SOT-343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

°C

100

Total power dissipation, T = 103 °C

tot

stg

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 ...+150

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤ 630

≤ 470

thJA

thJS

Junction - soldering point

Semiconductor Group

Sep-07-1998

1998-11-01

12 3 4

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