BAT62-02W

更新时间： 2024-09-24 22:19:27

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英飞凌 - INFINEON		肖特基二极管光电二极管
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4页	29K
描述
Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies)

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BAT62-02W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.6 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.04 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

BAT62-02W 数据手册

BAT 62-02W

Silicon Schottky Diode

• Low barrier diode for detectors up to GHz

frequencies

VES05991

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution

Type

Marking Ordering Code

Q62702-A1028

Pin Configuration

Package

BAT 62-02W

1 = C

2 = A

SCD-80

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

°C

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 ...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤ 650

≤ 810

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on epoxy pcb 15mm x 16.7mm x 0.7mm

Semiconductor Group

Jul-02-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

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