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BAT54C/T3

更新时间: 2024-11-01 20:05:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 297K
描述
0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

BAT54C/T3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.01
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:0.6 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.23 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:2 µA最大反向恢复时间:0.005 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAT54C/T3 数据手册

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BAT54 series  
SOT23  
Schottky barrier diodes  
Rev. 5 — 5 October 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for stress protection,  
encapsulated in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic  
package.  
1.2 Features and benefits  
Low forward voltage  
Low capacitance  
AEC-Q101 qualified  
1.3 Applications  
Ultra high-speed switching  
Line termination  
Voltage clamping  
Reverse polarity protection  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Tamb = 25 C unless otherwise specified.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per diode  
VR  
VF  
IR  
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
-
-
-
-
-
-
30  
800  
2
V
[1]  
[1]  
IF = 100 mA  
VR = 25 V  
mV  
A  
[1] Pulse test: tp 300 s;   0.02.  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
Description  
Simplified outline  
Graphic symbol  
BAT54  
1
2
3
anode  
3
3
not connected  
cathode  
2
n.c.  
1
1
2
006aaa436  

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