BAT54CDW

更新时间： 2024-11-01 08:48:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管肖特基二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	229K
描述
200mWatt, 30Volt Schottky Barrier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT54CDW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	6
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAT54CDW 数据手册

M C C

BAT54TW/ADW/

CDW/SDW/BRW

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

200mWatt, 30Volt

Schottky Barrier Diode

xꢀ Fast Switching and Low Forward Voltage Drop

xꢀ Ultra-Small Surface Mount Package

xꢀ PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection

xꢀ Available in Lead Free Version

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

Continuos Reverse Voltage

Forward Continuous Current

SOT-363

V_R

I_F

30V

200mA

Repetitive Peak Forward Current

Peak Forward Current t<1s

I_FRM

I_FSM

P_D

300mA

600mA

Power Dissipation @ T_A= 25к

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Storage Temperature Range

200mW

625к/W

-65к to 125к

R_șJA

T_stg

T_j

Operating Temperature Range

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

INCHES

MIN

Ratings

Forward Voltage at

I_F= 0.1mA

Symbol

Max.

Notes

DIM

MAX

0.014

0.053

0.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

0.006

0.045

0.085

240mV

320mV

400mV

500mV

1000mV

I_F= 1mA

I_F= 10mA

I_F= 30mA

I_F= 100mA

0.026 Nominal

0.65 Nominal

Note 2

0.047

0.071

---

0.055

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

0.087

0.004

0.043

0.018

0.006

V_F

---

0.035

0.010

0.003

0.90

0.26

0.08

Reverse Current

I_R

V_(BR)

C_J

V_R= 25V

2.0PA

Reverse Breakdown

Voltage

>30V

10pF

Measured at

1.0MHz, V_R=1.0V

Capacitance

Reverse Recovery

Time

I_F=I_R=10mA;

_REC=1mA,R_L=100ȍ

t_rr

5.0nS

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Short duration test pulse used to minimize self-heating effect

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

BAT54CDW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAT54CV,115	NXP	功能相似	BAT54CV - Two Schottky barrier double diodes SOT 6-Pin
BAT54CDW	PANJIT	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS

与BAT54CDW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54CDW_15	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAT54CDW_R1_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS
BAT54CDW_R2_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS
BAT54CDW-7	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS
BAT54CDW-7	LGE	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diode Arrays
BAT54CDW-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS
BAT54CDWG-AL6-R	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES
BAT54CDWL-AL6-R	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES
BAT54CDWPT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE ARRAY VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere
BAT54CDWS	WTE	获取价格	Rectifier Diode,

与BAT54CDW相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54CDW

BAT54CDW 技术参数

BAT54CDW 数据手册

BAT54CDW 替代型号

与BAT54CDW相关器件

与BAT54CDW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54CDW

BAT54CDW 技术参数

BAT54CDW 数据手册

BAT54CDW 替代型号

与BAT54CDW相关器件

与BAT54CDW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？