BAT49

更新时间： 2024-01-17 11:09:57

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管小信号肖特基二极管
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描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

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BAT49 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-GALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	10 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	200 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAT49 数据手册

BAT 49

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION

General purpose metal to silicon diode featuring

very low turn-on voltage and fast switching.

This device has integrated protection against ex-

cessive voltage such as electrostatic discharges.

DO 41

(Glass)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

V_RRM

I_F

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Value

Unit

Forward Continuous Current*

500

T = 70 C

t_p= 1s

I_FRM

Repetitive Peak Forward Current*

0.5

δ ≤

I_FSM

Surge non Repetitive Forward Current*

Storage and Junction Temperature Range

t_p10ms

≤

T_stg

T_j

- 65 to 150

- 65 to 125

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering during 10s at 4mm

from Case

230

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

C/W

R_th(j-a)

Junction-ambient*

110

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

I_R* *

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

200

0.32

0.42

Unit

T = 25 C

V_R= 80V

I_F= 10mA

I_F= 100mA

I_F= 1A

V_F* *

T = 25 C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

120

Max.

Unit

V_R= 0V

V_R= 5V

T = 25 C

f = 1MHz

* On infinite heatsink with 4mm lead length

** Pulse test: t_p≤ 300µs δ < 2%.

August 1999 Ed : 1A

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BAT51ER	ASI	Mixer Diode, KU Band, Silicon, DO-37, DO-37, 2 PIN	获取价格
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