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BAT51EMR

更新时间： 2024-11-18 21:10:43

品牌	Logo	应用领域
ASI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	77K
描述
Mixer Diode, KU Band, Silicon, DO-37, DO-37, 2 PIN

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BAT51EMR 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-37
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.7
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	KU BAND
JEDEC-95代码：	DO-37	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BAT51EMR 数据手册

BAT51E

MICROWAVE MIXER DIODE

PACKAGE STYLE DO- 37

DESCRIPTION:

The ASI BAT51E is a Silicon

Microwave Mixer Diode Designed for

low noise performance in Applications

Operating from 12 to 18 GHz.

FEATURES:

•

Low Noise Fugure

Available in reverse polarity by

adding suffix R

•

Available in forward matched pairs

by adding suffix MR

Available in reverse matched pairs

by adding suffix RM

MAXIMUM RATINGS

-55 °C to +100 °C

T_AMB

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

I_R

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIM

UNITS

µA

V_R= 0.5 V

V_F= 0.5 V

N_IF= 100 Ω

2.0

I_F

2.0

7.0

5.2

Ω

N_O

L_C

Z_IF

f = 13.5 GHz

250

350

450

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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