BAT54

更新时间： 2024-02-11 23:12:58

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美微科 - MCC		肖特基二极管光电二极管
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3页	103K
描述
250mWatt, 30Volt Schottky Barrier Diode

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BAT54 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	6.92
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAT54 数据手册

M C C

BAT54

THRU

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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BAT54S

Features

Low Forward Voltage

Surface Mount device

Very small conduction losses

250mWatt, 30Volt

Schottky Barrier Diode

MCC

Catalog

Number

BAT54

BAT54A

BAT54C

BAT54S

Device

Marking

Type

Configuration

(See Page 3)

SOT-23

L4P

L42

L43

L44

Single

Dual

Figure 1

Figure 2

Figure 3

Figure 4

Maximum Ratings

Continuos Reverse Voltage

Forward Current

V_R

I^F

30V

0.3A

Non-Repetitive Peak Forward Current t<1s

Total Power Dissipation @ T_A= 25°C

Storage Temperature Range

I_FSM

P_D

1.0mA

250mW

T_stg

T_j

-55°C to 150°C

150°C

DIMENSIONS

Junction Temperature

INCHES

MIN

Soldering temperature during 10s

T_j

260°C

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Electrical Characteristics @ 25 °C Unless Otherwise Specified

Ratings

Forward Voltage at

I_F= 0.1mA

Symbol

Max.

Notes

.085

.37

240mV

320mV

400mV

500mV

900mV

2.0 uA

>30V

I_F= 1mA

I_F= 10mA

I_F= 30mA

I_F= 100mA

V_F

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

Reverse Current

Reverse Breakdown

Voltage

I_R

V_(BR)

V_R= 25V

.035

.900

.079

2.000

inches

Capacitance

C_J

t_rr

10pF

5nS

Measured at

1.0MHz, V_R=1.0V

I_F=I_R=10mA;

I_(REC)= 1mA

Reverse Recovery

Time

.037

.950

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

R_qJA

500K/W

.037

.950

www.mccsemi.com

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