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BAT54 PDF预览

BAT54

更新时间： 2024-02-03 10:43:32
品牌 Logo 应用领域
SECOS 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 147K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode

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BAT54 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54 数据手册

 浏览型号BAT54的Datasheet PDF文件第2页 
BAT54 Series  
BAT54 / BAT54A / BAT54C / BAT54S  
Elektronische Bauelemente  
Surface Mount Schottky Barrier Diode  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-23  
Min  
n
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
Low Turn-on Voltage  
n
n
A
L
Fast Switching  
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
3
S
C
Top View  
1
B
2
MECHANICAL DATA  
V
G
n
Case: SOT-23, Molded Plastic  
n
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
L
n
H
Polarity: See Diagrams Below  
J
D
K
n
Weight: 0.008 grams (approx.)  
S
n
Mounting Position: Any  
V
All Dimension in mm  
3
3
3
3
1
2
1
2
1
1
2
2
BAT54 Marking: LV3,KL1  
BAT54A Marking: B6,KL2  
BAT54C Marking: B5,KL3  
BAT54S Marking: LD3,KL4  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
I
200 Max  
125 Max  
mA  
°C  
F
T
J
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
0.5  
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
R
—
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
F
V
F
V
F
—
—
—
—
0.22  
0.41  
0.52  
—
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
—
—
—
—
—
0.29  
0.35  
—
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
F
Forward Current (DC)  
I
F
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
I
—
FRM  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
—
FSM  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
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