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BAS70-04W135

更新时间: 2024-11-25 04:12:59
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
DIODE 0.07 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS70-04W135 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.5配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:0.1 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.07 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL

BAS70-04W135 数据手册

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