BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E
BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E
IFAV = 70 mA VRRM = 70 V
VF1 < 0.41 V IFSM = 100 mA
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottkydioden
Tjmax = 125°C trr
< 5 ns
Version 2018-12-10
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung
SOT-523
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
0.75±0.1
Features
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
1.6±0.1
0.2±0.05
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
3
Type
Code
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Pb
V
1
2
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
1.0±0.1
Taped and reeled
4000 / 7“
0.002 g
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
BAS70E
BAS70-04E
3
3
Type
Code
73
Type
Code
74
Single
Diode
Series
Connection
1
2
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
BAS70-05E
BAS70-06E
3
3
Type
Code
75
Type
Code
76
Common
Cathode
Common
Anode
1
2
1
2
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Maximum ratings 2)
Power dissipation − Verlustleistung 3)
Grenzwerte 2)
150 mW 4)
70 mA 4)
70 mA 4)
100 mA
Ptot
IFAV
Max. average forward current – Dauergrenzstrom
DC
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
IFSM
VRRM
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
tp ≤ 1 s
70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+125°C
-55…+150°C
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2
3
4
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1