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BAS70-04E

更新时间: 2024-11-06 01:15:23
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 179K
描述
SMD Small Signal Schottky Diodes

BAS70-04E 数据手册

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BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E  
BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E  
IFAV = 70 mA VRRM = 70 V  
VF1 < 0.41 V IFSM = 100 mA  
SMD Small Signal Schottky Diodes  
SMD Kleinsignal-Schottkydioden  
Tjmax = 125°C trr  
< 5 ns  
Version 2018-12-10  
Typical Applications  
Signal processing, High-speed  
switching, Polarity protection  
Commercial grade  
Typische Anwendungen  
Signalverarbeitung, Schnelles  
Schalten, Verpolschutz  
Standardausführung  
SOT-523  
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)  
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)  
0.75±0.1  
Features  
Besonderheiten  
Extrem schnelles Schalten  
Niedrige Sperrschicht-Kapazität  
Niedriger Sperrstrom  
1.6±0.1  
0.2±0.05  
Very high switching speed  
Low junction capacitance  
Low leakage current  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
3
Type  
Code  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
V
1
2
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Gegurtet auf Rolle  
1.0±0.1  
Taped and reeled  
4000 / 7“  
0.002 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
260°C/10s  
MSL = 1  
Löt- und Einbaubedingungen  
BAS70E  
BAS70-04E  
3
3
Type  
Code  
73  
Type  
Code  
74  
Single  
Diode  
Series  
Connection  
1
2
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C  
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2  
BAS70-05E  
BAS70-06E  
3
3
Type  
Code  
75  
Type  
Code  
76  
Common  
Cathode  
Common  
Anode  
1
2
1
2
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2  
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2  
Maximum ratings 2)  
Power dissipation − Verlustleistung 3)  
Grenzwerte 2)  
150 mW 4)  
70 mA 4)  
70 mA 4)  
100 mA  
Ptot  
IFAV  
Max. average forward current – Dauergrenzstrom  
DC  
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom  
IFRM  
IFSM  
VRRM  
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert  
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung  
tp ≤ 1 s  
70 V  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+125°C  
-55…+150°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
2
3
4
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben  
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden  
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 

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