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BAS516F2

更新时间： 2024-09-25 20:59:35

品牌	Logo	应用领域
扬杰 - YANGJIE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	627K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon,

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BAS516F2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS516F2 数据手册

RoHS

COMPLIANT

BAS516

Small-Signal Fast Switching Diodes

Features

● VR 100V

●

I_FAV 250mA

Typical Applications

● Extreme fast switches

Mechanical Data

●

ackage: SOD523

● Terminals: Tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

●

Cathode line denotes the cathode end

Polarity:

Marking:

(T =25℃ Unless otherwise specified

■

Maximum Ratings

）

Conditions

VALUE

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

V_R

UNIT

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

100

IR=100uA

Pulse width=1 us

Pulse width=1 s

Peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

I_FSM

I_FAV

℃

250

150

P_tot

T_j

Maximum junction temperature

Storage temperature range

-55 to +150

T_stg

℃

Electrical Characteristics（T =25℃ Unless otherwise specified）

■

PARAMETER

Breakdown Voltage

Symbol

UNIT

Conditions

IR=100uA

Min

Max

V_R

100

IF=1mA

0.715

0.855

1.00

1.25

IF=10mA

IF=50mA

IF=150mA

VR=25V

Forward Voltage

V_F

I_R1

I_R2

Reverse Leakage Current

VR=75V

Capacitance

VR=0V,f=1MHz

IF=IR=10mA，Irr=0.1*IR,

RL=100Ω

Reverse Recovery Time

Trr

1 / 4

S-S1485

Rev.1.0, 30-Mar-18

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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