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BAS29-T

更新时间: 2024-11-30 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAS29-T 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.22
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:3 A元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS29-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS29; BAS31; BAS35  
General purpose controlled  
avalanche (double) diodes  
1999 May 21  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Sep 10  
 

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS29T/R NXP

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DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
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