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BAS21E6433

更新时间: 2024-11-23 20:43:35
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 114K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 200V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

BAS21E6433 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.37
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS21E6433 数据手册

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BAS21...  
Silicon Switching Diode  
For high-speed switching applications  
High breakdown voltage  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
BAS21  
BAS21-03W  
BAS21U  
6
5
4
3
D
1
D
2
D
3
1
2
1
2
3
1
2
Type  
Package  
SOT23  
SOD323  
SC74  
Configuration  
single  
Marking  
JSs  
BAS21  
BAS21-03W  
BAS21U  
single  
D
parallel triple  
JSs  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
250  
RM  
250  
mA  
I
F
625  
Peak forward current  
I
FM  
Peak forward current  
I
625  
mA  
A
FM  
Surge forward current, t = 10 µs  
Non-repetitive peak surge forward current  
Total power dissipation  
I
4
-
FS  
I
FSM  
mW  
P
tot  
BAS21, T 70°C  
350  
250  
250  
S
BAS21-03W, T 124°C  
S
BAS21U, T 122°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2007-04-19  
1

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