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BAS21H,115

更新时间: 2024-11-23 19:48:15
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
10页 56K
描述
BAS21H - Single high-voltage switching diode SOD-123 2-Pin

BAS21H,115 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOD-123
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.04
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.001 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.375 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS21H,115 数据手册

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BAS21H  
Single high-voltage switching diode  
Rev. 02 — 3 November  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Single high-voltage switching diode, encapsulated in a SOD123F small and flat lead  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features  
I Small and flat lead SMD plastic package  
I Reverse voltage: VR 200 V  
1.3 Applications  
I General-purpose switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
200  
50  
Unit  
mA  
V
[1]  
[2]  
IF  
forward current  
-
-
-
-
-
-
VR  
trr  
reverse voltage  
reverse recovery time  
ns  
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  
[2] When switched from IF = 30 mA to IR = 30 mA; RL = 100 ; measured at IR = 3 mA.  
 
 
 
 
 
 
 
 

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