是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 5.01 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 250 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAS21-7-F | DIODES |
功能相似 |
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
BAS21LT3G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Switching Diode | |
BAS21LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Switching Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS21-HE3-18 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |
BAS21HMFH | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, | |
BAS21HMFHT116 | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, | |
BAS21HMT116 | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, | |
BAS21HPT | CHENMKO |
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FAST SWITCHING DIODE VOLTAGE RANGE 250 Volts CURRENT 200 mAmpere | |
BAS21H-Q | NEXPERIA |
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High-voltage switching diodeProduction | |
BAS21HT1 | LRC |
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HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE | |
BAS21HT1 | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
BAS21H-T1 | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
BAS21HT1/D | ETC |
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High Voltage Switching Diode |