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BAS170WS-V-GS18

更新时间： 2024-01-16 13:32:49

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威世 - VISHAY		信号二极管小信号肖特基二极管开关光电二极管
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Small Signal Schottky Diode

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BAS170WS-V-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED SWITCHING
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.41 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAS170WS-V-GS18 数据手册

BAS170WS-V

Vishay Semiconductors

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

650

Unit

K/W

Thermal resistance junction to ambient air¹⁾

Junction temperature

T_j

125

°C

Operating temperature range

Storage temperature range

T_amb

T_stg

- 65 to + 125

Note:

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Electrical Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V_(BR)

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse breakdown voltage

Leakage current

I_R= 10 µA (pulsed)

_R= 50 V

_R= 70 V

I_R

0.1

µA

Forward voltage

I_F= 1 mA

I_F= 10 mA

I_F= 15 mA

V_F

C_D

R_F

375

705

410

750

Forward voltage¹⁾

Diode capacitance

880

1.5

1000

_R= 0 V, f = 1 MHz

Differential forward resistance

I_E= 5 mA, f = 10 kHz

Note:

¹⁾Pulse test; t_p≤ 300 µs

Package Dimensions in millimeters (inches): SOD323

17443

www.vishay.com

Document Number 85653

Rev. 1.6, 02-Jul-07

123 4

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