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BAS17TRL

更新时间: 2024-02-20 00:31:43
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode

BAS17TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):0.96 V
正向电压最小值(VF):0.87 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAS17TRL 数据手册

  

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