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BAS17235

更新时间: 2024-11-20 20:11:19
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode

BAS17235 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):0.96 V
正向电压最小值(VF):0.87 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
反向测试电压:4 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS17235 数据手册

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