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BAS170WS-E3-08

更新时间： 2024-02-18 03:10:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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BAS170WS-E3-08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：0.85配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.07 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：70 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAS170WS-E3-08 数据手册

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BAS170WS  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Schottky Diode  
FEATURES  
• Schottky diode for high-speed switching  
• Circuit protection  
• Voltage clamping  
• High-level detecting and mixing  
• AEC-Q101 qualified  
MECHANICAL DATA  
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
Case: SOD-323  
Weight: approx. 4.3 mg  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Packaging codes/options:  
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box  
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box  
PARTS TABLE  
INTERNAL  
CONSTRUCTION  
PART  
ORDERING CODE  
TYPE MARKING  
REMARKS  
BAS170WS-E3-08 or BAS170WS-E3-18  
BAS170WS-HE3-08 or BAS170WS-HE3-18  
BAS170WS  
Single diode  
73  
Tape and reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
VALUE  
70  
UNIT  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Forward continuous current  
Surge forward current  
Power dissipation (1)  
70  
mA  
mA  
mW  
tp < 1 s  
IFSM  
600  
200  
Ptot  
Note  
(1)  
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Thermal resistance junction to ambient air (1)  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
RthJA  
Tj  
VALUE  
650  
UNIT  
K/W  
°C  
Junction temperature  
125  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Top  
- 55 to + 125  
- 65 to + 150  
°C  
Tstg  
°C  
Note  
(1)  
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
Reverse breakdown voltage  
I
R = 10 μA (pulsed)  
V(BR)  
IR  
70  
V
R = 50 V  
R = 70 V  
0.1  
10  
μA  
μA  
mV  
mV  
mV  
pF  
Leakage current  
V
IR  
IF = 1 mA  
IF = 10 mA  
VF  
VF  
VF  
CD  
rf  
375  
705  
880  
1.5  
34  
410  
750  
1000  
2
Forward voltage  
Forward voltage (1)  
IF = 15 mA  
Diode capacitance  
V
R = 0 V, f = 1 MHz  
Differential forward resistance  
IF = 5 mA, f = 10 kHz  
Note  
(1)  
Pulse test; tp 300 μs  
Rev. 1.9, 25-Feb-13  
Document Number: 85653  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123

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BAS170WS-E3-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS170WS-E3-18 VISHAY

完全替代

 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323

与BAS170WS-E3-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS170WS-E3-18 VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
BAS170WS-G VISHAY

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 		Small Signal Schottky Diode
BAS170WS-G3-08 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon, GREEN PACKAGE-2
BAS170WS-G3-18 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon, GREEN PACKAGE-2
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 		Schottky Diodes
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