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BAS16

更新时间： 2024-11-20 11:14:11

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	221K
描述
High-speed switching diodeProduction

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BAS16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.55
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	170519	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT23 (TO-236AB)	Samacsys Released Date：	2015-04-13 16:48:36
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.215 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.25 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS16 数据手册

BAS16

High-speed switching diode

1 October 2022

Product data sheet

1. General description

High-speed switching diode, encapsulated in small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low capacitance

Low leakage current

Reverse voltage: V_R≤ 100 V

Repetitive peak reverse voltage: V_RRM≤ 100 V

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

V_R

I_R

reverse voltage

reverse current

100

0.5

V_R= 80 V; T_amb= 25 °C

µA

t_rr

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 1 mA; T_amb= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

anode (diode 1)

not connected

cathode

Simplified outline

Graphic symbol

n.c.

006aaa764

SOT23

12 3 4 5 6 7...9

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