BAS16
BAS16
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-01-29
Power dissipation – Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
310 mW
85 V
2.9±0.1
Periodische Spitzensperrspannung
1.1
0.4
3
Plastic case
SOT-23
Type
Code
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1 = A 2 = n.c. /frei 3 = C
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAS16
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
310 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
200 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
85 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage 2)
IF = 1 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
Durchlass-Spannung 2)
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = 75 V
IR
< 1 µA
Tj = 150°C VR = 25 V
Tj = 150°C VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
Trr
< 6 ns
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 400 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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