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BAS16-02W

更新时间: 2024-11-18 22:48:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 24K
描述
Silicon Switching Diode Preliminary data (For high-speed switching applications)

BAS16-02W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.38其他特性:HIGH SPEED SWITCH
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:2.5 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS16-02W 数据手册

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BAS 16-02W  
Silicon Switching Diode  
Preliminary data  
For high-speed switching applications  
2
1
VES05991  
Type  
Marking  
Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BAS 16-02W  
3
Q62702-A1239  
1 = A  
2 = C  
SCD-80  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
75  
V
V
V
R
85  
RM  
250  
2.5  
100  
150  
mA  
A
I
I
F
Surge forward current, t = 1 µs  
FS  
mW  
°C  
Total power dissipation, T = 119 °C  
P
T
T
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
- 65 ...+150  
stg  
Semiconductor Group  
Semiconductor Group  
1
Jul-24-1998  
1998-11-01  
1

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