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BAS16-03W

更新时间: 2024-11-18 22:48:11
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英飞凌 - INFINEON 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 32K
描述
Silicon Switching Diode Preliminary data (For high-speed switching applications)

BAS16-03W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.22其他特性:HIGH SPEED SWITCH
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:4.5 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAS16-03W 数据手册

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BAS 16-03W  
Silicon Switching Diode  
Preliminary data  
For high-speed switching applications  
2
1
VPS05176  
Type  
Marking  
Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BAS 16-03W  
B
Q62702-A1231  
1 = A  
2 = C  
SOD-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
75  
85  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
RM  
250  
4.5  
250  
150  
mA  
A
I
I
F
Surge forward current, t = 1 µs  
FS  
mW  
°C  
Total power dissipation, T = 111 °C  
P
T
T
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
- 65 ...+150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - ambient  
R
R
235  
155  
K/W  
thJA  
thJS  
Junction - soldering point  
1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm  
Semiconductor Group  
1
Mar-13-1998  
1998-11-01  
Semiconductor Group  
1

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