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BAS16HT1G

更新时间： 2024-11-20 04:08:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Switching Diode

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BAS16HT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.98配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS16HT1G 数据手册

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BAS16HT1  
Preferred Device  
Switching Diode  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Vdc  
http://onsemi.com  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
V
R
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
1
2
I
FM(surge)  
CATHODE  
ANODE  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
1
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
SOD−323  
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note 1)  
P
200  
mW  
CASE 477  
STYLE 1  
D
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
θ
JA  
MARKING DIAGRAM  
T , T  
J
−55 to  
150  
stg  
1. FR-4 Minimum Pad.  
A6 M  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Voltage Leakage Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
A6 = Specific Device Code  
M
= Date Code  
I
R
µAdc  
(V = 75 Vdc)  
−
−
−
1.0  
50  
30  
R
(V = 75 Vdc, T = 150°C)  
ORDERING INFORMATION  
R
J
(V = 25 Vdc, T = 150°C)  
R
J
Device  
Package  
Shipping†  
Reverse Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
BR  
V
75  
−
Vdc  
mV  
(BR)  
BAS16HT1  
SOD−323  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Forward Voltage  
V
BAS16HT1G  
SOD−323  
(Pb−Free)  
F
(I = 1.0 mAdc)  
−
−
−
−
715  
855  
1000  
1250  
F
(I = 10 mAdc)  
F
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(I = 50 mAdc)  
F
(I = 150 mAdc)  
F
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
−
−
−
−
2.0  
1.75  
6.0  
45  
pF  
Vdc  
ns  
D
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Forward Recovery Voltage  
V
FR  
(I = 10 mAdc, t = 20 ns)  
F
r
Reverse Recovery Time  
(I = I = 10 mAdc, R = 50 Ω)  
t
rr  
F
R
L
Stored Charge  
(I = 10 mAdc to V = 5.0 Vdc,  
Q
pC  
S
F
R
R = 500 Ω)  
L
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
March, 2005 − Rev. 4  
BAS16HT1/D  
 
1234

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BAS16HT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BAS16HT1GH ZOWIE

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