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BAS16_R1_00001

更新时间： 2024-11-20 01:13:43
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 238K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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BAS16_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.03配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.006 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAS16_R1_00001 数据手册

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PBAS16~BAS21  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
100~250 V  
350 mW  
Voltage  
Current  
Features  
0.120(3.04)  
0.110(2.80)  
Fast switching speed.  
Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion  
Electrically Identical to Standard JEDEC  
High Conductance  
Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU  
directive).  
0.056(1.40)  
0.047(1.20)  
Green molding compound as per IEC61249 Std..(Halogen Free)  
0.008(0.20)  
0.003(0.08)  
0.079(2.00)  
0.070(1.80)  
Mechanical Data  
0.004(0.10)  
0.044(1.10)  
0.035(0.90)  
Case: SOT-23, Plastic  
0.000(0.00)  
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Approx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram  
Marking: Part number  
0.020(0.50)  
0.013(0.35)  
Maximum Ratings (TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BAS16  
BAS19  
BAS20  
BAS21  
UNIT  
Marking Code  
A6  
75  
A8  
100  
120  
A80  
150  
200  
A82  
200  
250  
Reverse Voltage  
VR  
V
V
Peak Reverse Voltage  
VRM  
100  
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification  
With Resistive Load And f >50Hz  
IO  
250  
2
200  
2.5  
200  
2.5  
200  
V
A
Peak Forward Surge Current, tp=1s Single Half  
IFSM  
2.5  
Sine-Wave Superimposed On Rated Load  
Power Dissipation Derate Above 25 oC  
PTOT  
VF  
350  
350  
350  
350  
A
V
Maximum Forward Voltage  
0.855@10mA  
1.0@100mA  
1.0@100mA  
1.0@100mA  
1
Maximum Dc Reverse Current At Rated Dc Blocking  
Voltage TJ=25 oC  
IR  
1
1
1
A  
Typical Junction Capacitance (Notes1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Operating Junction Temperature And Storage  
Temperature Range  
CJ  
2
6
1.5  
50  
1.5  
50  
1.5  
50  
TRR  
RθJA  
nS  
357  
oC/W  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
oC  
NOTES :  
1. CJ at VR=0, f=1MHz  
2. From IF=10mA to IR =1mA, VR=6Volts, RL=100  
March 1,2017-REV.02  
Page 1  
12345

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与BAS16_R1_00001相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS16_R2_00001 PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAS16-02 INFINEON

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BAS16-02GP CHENMKO

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 		Rectifier Diode,
BAS16-02L INFINEON

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 		Silicon Switching Diode
BAS16-02L-E6327 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2-1,
BAS1602LE6327XTMA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2-1,
BAS16-02V INFINEON

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 		Silicon Switching Diode
BAS16-02VE6327 INFINEON

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 		For high-speed switching applications
BAS16-02V-E6327 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 85V V(RRM),
BAS1602VE6327XTSA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-79, 2 PIN

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