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BAS125WE6433

更新时间: 2024-09-30 14:47:59
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 151K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, Silicon

BAS125WE6433 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.45
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS125WE6433 数据手册

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