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BAR66E6327

更新时间： 2024-11-05 14:41:03

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英飞凌 - INFINEON		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	810K
描述
Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,

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BAR66E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.2
最小击穿电压：	150 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.6 pF	标称二极管电容：	0.35 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
少数载流子标称寿命：	0.7 µs	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	反向测试电压：
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAR66E6327 数据手册

BAR66...

Silicon PIN Diode Array

• Surge protection device

• Designed for surge overvoltage clamping

in antiparallel connection

• Pb-free (RoHS compliant) package

BAR66

Type

BAR66

Package

SOT23

Configuration

series

L (nH) Marking

1.8

PMs

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Forward current

Symbol

Value

Unit

150

200

250

Total power dissipation

tot

T ≤ 25 °C

ESD contact discharge

ESD

Peak pulse current (t = 8 / 20 µs)

150

°C

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ... 125

-55 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point , BAR 66

Symbol

Value

≤ 290

Unit

K/W

thJS

according to IEC61000-4-2, only valid if pin 1 and pin 2 are connected

according to IEC61000-4-5, only valid if pin 1 and pin 2 are connected

ESD

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2011-06-27

12 3 4 5 6

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