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B1100CCLRP

更新时间： 2024-02-06 03:42:38
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电信集成电路电信电路电信保护电路装置双向触发二极管
页数 文件大小 规格书
4页 137K
描述
The Battrax? series offers programmable SIDACtor? overvoltage protection devices

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B1100CCLRP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B1100CCLRP 数据手册

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SIDACtor® ProtectionThyristors  
SLIC Protection  
Surge Ratings  
IPP  
ITSM  
50/60 Hz  
0.2x310 1  
0.5x700 2  
2x10 1  
2x10 2  
8x20 1  
10x160 1  
10x160 2  
10x560 1  
10x560 2  
5x320 1  
9x720 2  
10x360 1  
10x360 2  
10x1000 1  
10x1000 2  
5x310 1  
di/dt  
1.2x50 2  
10x700 2  
A min  
A min  
150  
A min  
150  
A min  
90  
A min  
50  
A min  
75  
A min  
75  
A min  
45  
A min  
75  
A min A/μs max  
A
20  
20  
50  
500  
500  
C
50  
500  
400  
200  
150  
200  
175  
100  
200  
Notes:  
- Peak pulse current rating (IPP) is repetitive and guaranteed for the life of the product.  
- IPPꢀSBUJOHTꢀBQQMJDBCMFꢀPWFSꢀUFNQFSBUVSFꢀSBOHFꢀPGꢀꢅꢈꢂ$ꢀUPꢀꢄꢊꢃ$ꢀꢀꢋ*PP rating assumes VREFꢀFRVBMTꢀꢄꢌꢅꢀꢈꢊꢀ7ꢍ  
- The device must initially be in thermal equilibrium with -40°C < TJ <ꢀꢄꢆꢃꢂ¡$  
1 Current waveform in μs  
2 Voltage waveform in μs  
Thermal Considerations  
Package  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Modified DO-214AA  
TJ  
Operating JunctionTemperature Range  
ꢅꢈꢂꢀUPꢀꢄꢆꢃꢂ  
°C  
°C  
PIN 3  
(VREF  
)
TS  
StorageTemperature Range  
ꢅꢉꢃꢀUPꢀꢄꢆꢃꢂ  
PIN 1  
(Line)  
PIN 2  
(Ground)  
R0JA  
Thermal Resistance: Junction to Ambient  
85  
°C/W  
V-I Characteristics - Negative Battrax  
V-I Characteristics - Positive Battrax  
+I  
+I  
I
T
I
GT  
I
H
V
V
V
DRM  
S
T
I
DRM  
-V  
-V  
+V  
+V  
I
DRM  
V
V
V
S
T
DRM  
I
H
I
GT  
I
T
-I  
-I  
NormalizedVS Change vs. JunctionTemperature  
Normalized DC Holding Current vs. CaseTemperature  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
14  
12  
10  
8
6
25°C  
25 °C  
1.2  
4
2
0
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
-4  
-6  
-8  
-40 -20  
0
20 40 60  
80 100 120 140 160  
-40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
JunctionTemperature (TJ) – °C  
CaseTemperature (TC) - ºC  
© 2011 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
115  
Please refer to www.littelfuse.com for current information.  
Revised: February 22, 2011  
1234

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