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B1100LBT-01-13

更新时间： 2024-02-13 15:31:41

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	62K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN

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技术参数
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B1100LBT-01-13 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	500 µA	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

B1100LBT-01-13 数据手册

SPECIAL CUSTOMER

PARTS SPECIFICATION SHEET

1. Part information

Part Number:

Description:

Outline:

Issue date:

Series No.:

Cust. code.:

Cust. dwg#:

Rev. Level:

6/4/99

1231

B1100LBT-01

Special I^FSM, Rθ^JL,Dimensions A,E,H

SMB

P746A

371S0013

Marking:

Cathode band + LT logo + D/C + B110LB

Tape/Reel

Package:

2. Electrical characteristics

Specifications at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Test Condition

Min.

Max.

100

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse

Voltage

V^RRM

Maximum RMS Voltage

V^RSM

V^DC

I^(AV)

100

1.0

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward

Rectified Current

T^T=125°C

2.00x2.16mm²Solder Pad

given in Apple Fig.6

Peak Forward Surge Current

I^FSM

8.3ms Single Half Sine-wave

Superimposed on Rated

Load

Instantaneous Forward Voltage

DC Reverse Current

V^F

I^R

I^F=1.0A

0.75

0.50

5.0

V^R=100V @ T^A=25°C

@T^A=100°C

Maximum Thermal Resistance

Junction Capacitance

Junction to terminal

°C/W

Rθ^JL

C^J

V^R=4.0V / 1MHz

°C

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T^J

-65 to +150

T^STG

-65 to +150

3. Mechanical Outline

SMB

Min

Dim

Max

3.80

4.57

2.21

0.31

5.35

0.20

1.49

2.62

3.30

4.06

1.96

0.15

5.00

0.10

0.89

2.00

All Dimensions in mm

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