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B1100LB

更新时间： 2024-11-28 22:27:07
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美台 - DIODES 整流二极管光电二极管高压
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2页 47K
描述
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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B1100LB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

B1100LB 数据手册

 浏览型号B1100LB的Datasheet PDF文件第2页 
B1100LB  
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
ꢁ
ꢁ
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
ꢁ
ꢁ
ꢁ
ꢁ
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 50A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
High Temperature Soldering:  
260ꢀC/10 Second at Terminal  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
B
SMB  
Dim  
A
Min  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
A
J
C
D
ꢁ
ꢁ
B
C
D
E
Mechanical Data  
G
H
ꢁ
ꢁ
Case: SMB, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal -  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
J
G
H
E
All Dimensions in mm  
ꢁ
ꢁ
ꢁ
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: B110LB and Date Code  
Weight: 0.093 grams (approx.)  
@ TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
B1100LB  
100  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
70  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 120ꢀC  
@ TT = 100ꢀC  
1.0  
2.0  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
50  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage  
@ IF = 1.0A, TA = 25ꢀC  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25ꢀC  
=
0.5  
5.0  
mA  
@ TA = 100ꢀC  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
100  
22  
pF  
K/W  
ꢀC  
RꢂJT  
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30077 Rev. A-2  
1 of 2  
B1100LB  
12

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