Datasheet > B1100LB-7

B1100LB-7

更新时间： 2024-11-19 21:12:47

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

B1100LB-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	其他特性：	LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：	EFFICIENCY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

B1100LB-7 数据手册

B1100LB

1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

ꢁ

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

ꢁ

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Power Loss, High Efficiency

Surge Overload Rating to 50A Peak

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Application

High Temperature Soldering:

260ꢀC/10 Second at Terminal

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

SMB

Dim

Min

3.30

4.06

1.96

0.15

5.00

0.10

0.76

2.00

Max

3.94

4.57

2.21

0.31

5.59

0.20

1.52

2.62

ꢁ

Mechanical Data

ꢁ

Case: SMB, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated Terminal -

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

All Dimensions in mm

ꢁ

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: B110LB and Date Code

Weight: 0.093 grams (approx.)

@ T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

B1100LB

100

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

@ T_T= 120ꢀC

@ T_T= 100ꢀC

1.0

2.0

I_O

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC Method)

I_FSM

V_FM

I_RM

Forward Voltage

@ I_F= 1.0A, T_A= 25ꢀC

0.75

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A25ꢀC

0.5

5.0

@ T_A= 100ꢀC

C_j

Typical Junction Capacitance (Note 2)

100

K/W

ꢀC

R_ꢂJT

Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

DS30077 Rev. A-2

1 of 2

B1100LB

中文翻译

下载PDF

与B1100LB-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
B1100LB-FDITR	DIODES	获取价格	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
B1100LBT-01-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN
B1100Q	DIODES	获取价格	1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
B1100W	CITC	获取价格	1A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
B1100WG-SL	CITC	获取价格	1A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
B1100W-S	CITC	获取价格	1A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
B1100W-ST	CITC	获取价格	1A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
B1100YD	EVERLIGHT	获取价格	Optoelectronic Device
B1101CA	TECCOR	获取价格	SIDACtor devices
B1101U	TECCOR	获取价格	solid state crowbar devices

与B1100LB-7相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

B1100LB-7

B1100LB-7 技术参数

B1100LB-7 数据手册

与B1100LB-7相关器件

与B1100LB-7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

B1100LB-7

B1100LB-7 技术参数

B1100LB-7 数据手册

与B1100LB-7相关器件

与B1100LB-7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？