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AT93C46EY6-YH-B

更新时间： 2024-09-17 03:41:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	1106K
描述
EEPROM

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AT93C46EY6-YH-B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UDFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大时钟频率 (fCLK)：	0.25 MHz
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	2 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	64 words
字数代码：	64	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSON	封装等效代码：	SOLCC8,.11,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	反向引出线：	NO
座面最大高度：	0.6 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.000001 A	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

AT93C46D/AT93C46E

Three-wire Serial EEPROM 1-Kbit (128 x 8 or 64 x 16)

Features

• Low-Voltage Operation:

– V_CC= 1.8V to 5.5V

• User-Selectable Internally Organized as 128 x 8 (1K) or 64 x 16 (1K)

• Non-Selectable Internal Organization as 64 x 16 (1K), AT93C46E Only

• Industrial Temperature Range: -40°C to +85°C

• 2 MHz Clock Rate (5V)

• Self-Timed Write Cycle within 5 ms Maximum

• High Reliability:

– Endurance: 1,000,000 write cycles

– Data retention: 100 years

• Green Package Options (Lead-free/Halide-free/RoHS compliant)

• Die Sale Options: Wafer Form and Tape and Reel

Packages

• 8-lead SOIC, 8-lead TSSOP, 8-pad UDFN, 8-lead PDIP and 8-ball VFBGA

DS20006224A-page 1

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