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AT52BR1672T-85CI

更新时间： 2024-01-26 00:15:22

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爱特美尔 - ATMEL		闪存内存集成电路静态存储器
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39页	359K
描述
16-megabit Flash and 2-megabit/ 4-megabit SRAM Stack Memory

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AT52BR1672T-85CI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.76	其他特性：	ALSO CONTAINS 128K X 16 SRAM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AT52BR1672T-85CI 数据手册

Features

• 16-Mbit Flash and 2-Mbit/4-Mbit SRAM

• Single 66-ball 8 mm x 10 mm x 1.2 mm CBGA Package

• 2.7V to 3.3V Operating Voltage

Flash

• 2.7V to 3.3V Read/Write

• Access Time – 85 ns

• Sector Erase Architecture

– Thirty-one 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout

– Eight 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout

• Fast Word Program Time – 20 µs

16-megabit

Flash and

2-megabit/

4-megabit

SRAM Stack

Memory

• Fast Sector Erase Time – 300 ms

• Dual-plane Organization, Permitting Concurrent Read While Program/Erase

– Memory Plane A: Eight 4K Word and Seven 32K Word Sectors

– Memory Plane B: Twenty-four 32K Word Sectors

• Erase Suspend Capability

– Supports Reading and Programming from Any Sector by Suspending Erase of a

Different Sector

– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word

• Low-power Operation

– 30 mA Active

– 10 µA Standby

• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection

• VPP Pin for Accelerated Program/Erase Operations

• RESET Input for Device Initialization

• Sector Lockdown Support

AT52BR1672(T)

AT52BR1674(T)

• Top/Bottom Block Configuration

• 128-bit Protection Register

SRAM

Preliminary

• 2-megabit (128K x 16)/4-megabit (256K x 16)

• 2.7V to 3.3V V_CCOperating Voltage

• 70 ns Access Time

• Fully Static Operation and Tri-state Output

• 1.2V (Min) Data Retention

• Industrial Temperature Range

Flash Plane

Architecture

Flash

Configuration

SRAM

Configuration

Device Number

AT52BR1672(T)

AT52BR1674(T)

12M + 4M

16M (1M x 16)

2M (128K x 16)

4M (256K x 16)

Rev. 2604B–STKD–09/02

12 3 4 5 6 7...39

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