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AT52BR6408A-70CJ PDF预览

AT52BR6408A-70CJ

更新时间： 2024-02-11 04:05:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
37页 267K
描述
Memory Circuit, 4MX16, PBGA66

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AT52BR6408A-70CJ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：66
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.27其他特性：SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B66JESD-609代码：e1
长度：11 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：66
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.1 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AT52BR6408A-70CJ 数据手册

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Stack Module Features  
• 64-Mbit Flash + 8-Mbit SRAM  
• Power Supply of 2.7V to 3.1V  
• Data I/O x16  
• 66-ball CBGA Package  
64-Mbit Flash Features  
• 64-megabit (4M x 16) Flash Memory  
• 2.7V - 3.1V Read/Write  
• High Performance  
– Asynchronous Access Time – 70, 85 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Eight 4K Word Sectors with Individual Write Lockout  
– 32K Word Main Sectors with Individual Write Lockout  
• Typical Sector Erase Time: 32K Word Sectors – 500 ms; 4K Word Sectors – 100 ms  
• 64M, Four Plane Organization, Permitting Concurrent Read in Any of Three Planes not  
Being Programmed/Erased  
64-Mbit Flash,  
8-Mbit SRAM  
(x16 I/O)  
– Memory Plane A: 16M of Memory Including Eight 4K Word Sectors  
– Memory Plane B: 16M of Memory Consisting of 32K Word Sectors  
– Memory Plane C: 16M of Memory Consisting of 32K Word Sectors  
– Memory Plane D: 16M of Memory Consisting of 32K Word Sectors  
• Suspend/Resume Feature for Erase and Program  
– Supports Reading and Programming Data from Any Sector by Suspending Erase  
of a Different Sector  
AT52BR6408A  
AT52BR6408AT  
– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word  
• Low-power Operation  
Preliminary  
– 30 mA Active  
– 10 µA Standby  
• 1.8V I/O Option Reduces Overall System Power  
• Data Polling and Toggle Bit for End of Program Detection  
• VPP Pin for Write Protection and Accelerated Program/Erase Operations  
• RESET Input for Device Initialization  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
• 128-bit Protection Register  
• Common Flash Interface (CFI)  
8-Mbit SRAM Features  
• 8-Mbit (512K x 16)  
• 2.7V to 3.1V VCC Operation  
• 70 ns Access Time  
• Low-power  
– 2 mA Typical (Active)  
– 1 µA Typical (Standby)  
• Industrial Temperature Range  
Stack Module Description  
The AT52BR6408A(T) consists of a 64-Mbit Flash stacked with an 8-Mbit SRAM in a  
single CBGA package.  
Stack Module Memory Contents  
Device  
Memory Combination  
Flash Read Access  
AT52BR6408A(T)  
64M Flash + 8M SRAM  
Asynchronous, Page Mode  
Rev. 3425A–STKD–1/04  
1234567...37

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与AT52BR6408A-70CJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT52BR6408A-85CI ATMEL

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 		64-Mbit Flash, 8-Mbit SRAM (x16 I/O)
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 		Memory Circuit, 4MX16, PBGA66
AT52BR6408AT ATMEL

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 		64-Mbit Flash, 8-Mbit SRAM (x16 I/O)
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