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AT52SC1284J-70CI

更新时间： 2024-02-21 15:30:56

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爱特美尔 - ATMEL		闪存
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52页	684K
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128-Mbit Flash + 32-Mbit/64-Mbit

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AT52SC1284J-70CI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-88	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
其他特性：	PSRAM IS ORGANISED AS 4M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm

AT52SC1284J-70CI 数据手册

Module Features

• 128-Mbit Burst/Page Flash + 32-Mbit/64-Mbit PSRAM

• Single 88-ball (8 mm x 10 mm x 1.2 mm) CBGA Package

• 1.7V to 1.95V V_CC

• 1.8V to 1.95V for V_CCQand P_VCC

128-Mbit Flash Features

• 8M x 16 Organization

• High Performance

128-Mbit Flash

+ 32-Mbit/64-Mbit

PSRAM

– Random Access Time – 70 ns, 85 ns

– Page Mode Read Time – 20 ns

– Synchronous Burst Frequency – 66 MHz

– Configurable Burst Operation

• Sector Erase Architecture

Stack Memory

– Sixteen 4K Word Sectors with Individual Write Lockout

– Two Hundred Fifty-four 32K Word Main Sectors with Individual Write Lockout

• Typical Sector Erase Time: 32K Word Sectors – 800 ms; 4K Word Sectors – 200 ms

• Thirty-two Plane Organization, Permitting Concurrent Read in Any of the Thirty-one

Planes not Being Programmed/Erased

• Suspend/Resume Feature for Erase and Program

– Supports Reading and Programming Data from Any Sector by Suspending Erase

of a Different Sector

AT52SC1283J

AT52SC1284J

– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word

• Low-power Operation

Preliminary

– 30 mA Active

– 20 µA Standby

• VPP Pin for Write Protection and Accelerated Program Operations

• RESET Input for Device Initialization

• Two Protection Registers (128 Bits + 2,048 Bits)

• Common Flash Interface (CFI)

• Top and Bottom Boot Sectors

• 1.7V to 1.95V Operating Voltage

Asynchronous/Page PSRAM Features

• 32-Mbit (2M Word x 16)/64-Mbit (4M Word x 16)

• 70 ns Random Access Time

• 30 ns Page Read Cycle Time

• 1.8V to 1.95V Operating Voltage

• <10 µA Deep Standby Power

Stack Module Memory Contents

Device

Memory Combination

128M Flash + 32M PSRAM

128M Flash + 64M PSRAM

AT52SC1283J

AT52SC1284J

3530B–STKD–2/4/05

12 3 4 5 6 7...52

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