Datasheet > AT52SQ1283J-85CI

AT52SQ1283J-85CI

更新时间： 2024-02-11 12:00:22

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
51页	927K
描述
Memory Circuit, 8MX16, PBGA88

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AT52SQ1283J-85CI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, CBGA-88	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.76
其他特性：	PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AT52SQ1283J-85CI 数据手册

Module Features

• 128-Mbit Burst/Page Flash + 32-Mbit PSRAM

• Single 88-ball (8 mm x 10 mm x 1.2 mm) CBGA Package

• 1.65V to 1.95V V_CC

• 2.7V to 3.1V V_CCQfor Flash + PSRAM

128-Mbit Flash Features

• 8M x 16 Organization

• High Performance

128-Mbit Flash +

32-Mbit PSRAM

Stack Memory

– Random Access Time – 70 ns, 85 ns

– Page Mode Read Time – 30 ns

– Synchronous Burst Frequency – 66 MHz

– Configurable Burst Operation

• Sector Erase Architecture

– Sixteen 4K Word Sectors with Individual Write Lockout

– Two Hundred Fifty-four 32K Word Main Sectors with Individual Write Lockout

• Typical Sector Erase Time: 32K Word Sectors – 800 ms; 4K Word Sectors – 200 ms

• Thirty-two Plane Organization, Permitting Concurrent Read in Any of the Thirty-one

Planes not Being Programmed/Erased

AT52SQ1283J

• Suspend/Resume Feature for Erase and Program

– Supports Reading and Programming Data from Any Sector by Suspending Erase

of a Different Sector

– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word

• Low-power Operation

– 30 mA Active

– 20 µA Standby

• VPP Pin for Write Protection and Accelerated Program Operations

• RESET Input for Device Initialization

• Two Protection Registers (128 Bits + 2,048 Bits)

• Common Flash Interface (CFI)

• Top and Bottom Boot Sectors

• 1.65V to 1.95V Operating Voltage

• 2.7V to 3.1V I/O

32-Mbit Asynchronous/Page PSRAM Features

• 2M x 16 Organization

• 70 ns Random Access Time

• 25 ns Page Read Cycle Time

• 2.7V to 3.1V PV_CC

• <10 µA Deep Standby Power

Stack Module Memory Contents

Device

Memory Combination

AT52SQ1283J

128M Flash + 32M PSRAM

3525B–STKD–3/05

12 3 4 5 6 7...51

中文翻译

下载PDF

与AT52SQ1283J-85CI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT532	ETC	获取价格	Accessories Hardware
AT532T	ETC	获取价格	Accessories Hardware
AT536RAT	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RAT90N_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR11_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR13_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR17_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR21_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR22_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT536RATR25_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors

与AT52SQ1283J-85CI相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

8
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT52SQ1283J-85CI

AT52SQ1283J-85CI 技术参数

AT52SQ1283J-85CI 数据手册

与AT52SQ1283J-85CI相关器件

与AT52SQ1283J-85CI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT52SQ1283J-85CI

AT52SQ1283J-85CI 技术参数

AT52SQ1283J-85CI 数据手册

与AT52SQ1283J-85CI相关器件

与AT52SQ1283J-85CI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？