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AT49BV3218T-90TJ PDF预览

AT49BV3218T-90TJ

更新时间： 2024-09-14 03:29:47
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL ATM异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 589K
描述
Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, 20 X12 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48

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AT49BV3218T-90TJ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：20 X12 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.84最长访问时间：90 ns
其他特性：TOP OR BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.65 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：12 mm

AT49BV3218T-90TJ 数据手册

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Features  
• Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV)  
• Access Time – 85 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Sixty-three 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time – 15 µs  
• Fast Sector Erase Time – 200 ms  
• Dual-plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
Memory Plane A: Eight 4K Word and Fifteen 32K Word Sectors  
Memory Plane B: Forty-eight 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low-power Operation  
32-megabit  
(2M x 16/4M x 8)  
3-volt Only  
– 25 mA Active  
– 10 µA Standby  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Lockdown Support  
Flash Memory  
• TSOP and CBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
• 128-bit Protection Register  
AT49BV3218  
AT49BV3218T  
AT49LV3218  
AT49LV3218T  
Not Recommended  
for New Design  
Use AT49BV/LV320(T)  
Description  
The AT49BV/LV3218(T) is a 2.65- to 3.3-volt (BV)/3.0V to 3.6V (LV) 32-megabit Flash  
memory organized as 2,097,152 words of 16 bits each or 4,194,304 bytes of 8 bits  
each. The x16 data appears on I/O0 - I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The  
memory is divided into 71 sectors for erase operations. The device is offered in 48-  
lead TSOP and 48-ball CBGA packages. The device has CE and OE control signals to  
avoid any bus contention. This device can be read or reprogrammed using a single  
2.65V power supply, making it ideally suited for in-system programming.  
or AT49BV/LV321(T)  
Contact Atmel to discuss  
the latest design in trends  
and options  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A20  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
WE  
Write Enable  
RESET  
RDY/BUSY  
VPP  
Reset  
READY/BUSY Output  
Optional Power Supply  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
BYTE  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode) A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
NC  
Rev. 2452F–FLASH–10/02  
1234567...25

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