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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49BV322AT-70CI
AT49BV322AT-70CI PDF预览

AT49BV322AT-70CI

更新时间： 2024-10-31 22:36:07
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
31页 214K
描述
32-megabit (2M x 16/4M x 8) 3-volt Only Flash Memory

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AT49BV322AT-70CI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：7 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.85Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：TOP/BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.000025 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.045 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.65 V标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：7 mmBase Number Matches：1

AT49BV322AT-70CI 数据手册

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Features  
• Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.6V  
• Access Time – 70 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Sixty-three 32K Word (64K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K Word (8K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time – 12 µs  
• Fast Sector Erase Time – 300 ms  
• Suspend/Resume Feature for Erase and Program  
– Supports Reading and Programming from Any Sector by Suspending Erase  
of a Different Sector  
– Supports Reading Any Byte/Word in the Non-suspending Sectors by Suspending  
Programming of Any Other Byte/Word  
• Low-power Operation  
32-megabit  
(2M x 16/4M x 8)  
3-volt Only  
– 12 mA Active  
– 13 µA Standby  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• VPP Pin for Write Protection  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Lockdown Support  
Flash Memory  
• TSOP and CBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
• 128-bit Protection Register  
• Minimum 100,000 Erase Cycles  
AT49BV322A  
AT49BV322AT  
• Common Flash Interface (CFI)  
Description  
The AT49BV322A(T) is a 2.7-volt 32-megabit Flash memory organized as 2,097,152  
words of 16 bits each or 4,194,304 bytes of 8 bits each. The x16 data appears on I/O0  
- I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The memory is divided into 71 sectors for  
erase operations. The device is offered in a 48-lead TSOP and a 48-ball CBGA pack-  
age. The device has CE and OE control signals to avoid any bus contention. This  
device can be read or reprogrammed using a single power supply, making it ideally  
suited for in-system programming.  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A20  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
VPP  
READY/BUSY Output  
Write Protection  
Data Inputs/Outputs  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
BYTE  
NC  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
3308H–FLASH–5/04  
1234567...31

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AT49BV322AT-70CI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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