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AT49BV040T-90VC

更新时间： 2024-11-10 20:20:51
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 279K
描述
Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32

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AT49BV040T-90VC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：10K WRITE CYCLES
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,496K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AT49BV040T-90VC 数据手册

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Features  
• Single Voltage for Read and Write: 2.7V to 3.6V (BV), 3.0V to 3.6V (LV)  
• Fast Read Access Time – 70 ns  
• Internal Program Control and Timer  
• 16K Bytes Boot Block with Lockout  
• Fast Chip Erase Cycle Time – 10 seconds  
• Byte-by-byte Programming – 30 µs/Byte Typical  
• Hardware Data Protection  
• Data Polling for End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 25 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
4-megabit  
(512K x 8)  
• Small Packaging  
– 8 x 14 mm VSOP/TSOP  
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage™  
Flash Memory  
Description  
The AT49BV/LV040(T) are 3-volt only, 4-megabit Flash memories organized as  
524,288 words of 8-bits each. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS  
technology, the devices offer access times to 70 ns with power dissipation of just  
90 mW over the commercial temperature range. When the device is deselected, the  
CMOS standby current is less than 50 µA.  
AT49BV040  
AT49BV040T  
AT49LV040  
AT49LV040T  
The device contains a user-enabled “boot block” protection feature. Two versions of  
the feature are available: the AT49BV/LV040 locates the boot block at lowest order  
addresses (“bottom boot”); the AT49BV/LV040T locates it at highest order addresses  
(“top boot”).  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7  
VSOP Top View (8 x 14 mm) or  
TSOP Top View (8 x 20 mm)  
PLCC Top View  
A11  
A9  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
OE  
2
A10  
CE  
A8  
3
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
5
6
7
8
9
29 A14  
28 A13  
27 A8  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CE  
21 I/O7  
A13  
A14  
A17  
WE  
VCC  
A18  
A16  
A15  
A12  
A7  
4
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
5
6
7
8
A2 10  
A1 11  
A0 12  
I/O0 13  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A1  
A5  
A2  
A4  
A3  
Rev. 0679C–04/00  
1234567...14

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与AT49BV040T-90VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV040T-90VI ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32
AT49BV080 ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12CC ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12CI ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12RC ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12RI ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12TC ETC

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 		x8 Flash EEPROM
AT49BV080-12TI ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-15CC ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-15CI ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

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