是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 8 X 14 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-42 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | HARDWARE DATA PROTECTION; BYTE PROGRAMMABLE; BOTTOM BOOT BLOCK | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B42 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,1 |
端子数量: | 42 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA42,6X7,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.4 mm | 部门规模: | 16K,1008K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT49BV080-20CI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080-20RC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080-20RI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080-20TC | ATMEL |
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AT49BV080-20TI | ATMEL |
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AT49BV080T | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080T-12CC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080T-12CI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080T-12RC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV080T-12RI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory |