5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28HC64B-70TI | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28HC64B-70TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| AT28HC64B-70TJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28 |
|
| AT28HC64B-70TJT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| AT28HC64B-70TL | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28 |
|
| AT28HC64B-70TLT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| AT28HC64B-70TU | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) High-speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28HC64B-70TU | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 64KBIT 70NS 28TSOP |
|
| AT28HC64B-70TU-T | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28 |
|
| AT28HC64B-90 | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
