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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.65 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.55 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 11.43 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28HC64B-90JJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
|
| AT28HC64B-90JJT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| AT28HC64B-90JL | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
|
| AT28HC64B-90JLT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| AT28HC64B-90JU | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) High-speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
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| AT28HC64B-90JU | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 64KBIT 90NS 32PLCC |
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| AT28HC64B-90JU-T | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO32 |
|
| AT28HC64B-90PC | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28HC64B-90PI | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28HC64B-90PJ | ATMEL |
获取价格 |
暂无描述 |
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