是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.54 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 11.43 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 0.2 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C04E-20LI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-20LM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-20LM/883 | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-20LMB | ATMEL |
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EEPROM, 512X8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, | |
AT28C04E-20PC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-20PI | ATMEL |
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EEPROM, 512X8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
AT28C04E-25DC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-25DI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-25DM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C04E-25DM/883 | ETC |
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x8 EEPROM |